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华虹

华虹宏力(688347/01347)做特色工艺代工,eNVM 覆盖 0.35µm~40nm,BCD 到 800V,上海三座 8 英寸、无锡两座 12 英寸。

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华虹在编码器链上同样落在"芯片变成硅片"这一步,但路线与先进逻辑厂不同:它把资源压在特色工艺上,模拟与电源管理、eNVM、逻辑射频、功率分立四块公开写明覆盖的工艺段与电压段。对做角度芯片的人,这意味着它的公开资料能回答"这颗芯片该走哪个平台、电压段够不够",而不能回答"谁在里面流片"。

公司与品牌

华虹宏力半导体有限公司(英文 Hua Hong Grace,简称 HHGrace),A 股代码 688347、港股代码 01347。官网自述为"全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业",战略写作"8 英寸 + 12 英寸"与先进"特色 IC + 功率器件",并写明是华虹集团的一员。中文首页;公司简介

产线:上海金桥与张江共三座 8 英寸厂、一座 12 英寸厂(HH Fab1/2/3 与 HH Fab5),无锡国家高新区两座 12 英寸厂(HH Fab7、HH Fab9A、HH Fab9B)。官网把两座无锡 12 英寸厂单独表述为专做特色工艺的 12 英寸产线。晶圆厂清单

四个平台各自的公开工艺段

官网每块平台都给了工艺覆盖范围,这是它比多数代工厂更可用的一点——数字是官方页面原口径,不含推断:

平台公开工艺段其他公开参数
嵌入式存储 eNVM8 英寸 0.35µm90nm,12 英寸 90nm40nmeFlash、EEPROM、eOTP/eMTP;官方称同节点下光刻层次与 eFlash 擦写次数有优势
模拟与电源管理8 英寸 0.35µm0.11µm,12 英寸 90nm65/55nm自研多代 BCD,器件电压 1.5V~800V,含低压、中压、高压与超高压
逻辑与射频0.35µm~40nmRFCMOS、RFSOI、CIS 与 MEMS;CIS 用高透过率 BSI 像素,ISP 与像素 3D 堆叠,分辨率覆盖 1MP~200MP
功率器件8 英寸与 12 英寸双线低压 MOSFET 主覆盖 200V 以下,深沟槽超结 200900V,IGBT 6001700V;自研 DT-SJ 与 IGBT 背面工艺

角度芯片常用的是前两块:BCD 决定前端与驱动能否同片集成,eNVM 决定校准系数存哪。800V 那一档与角度测量无关,是给电源与电机驱动客户看的。

在编码器链上的位置

华虹卖的是特色工艺能力与设计服务,客户名单不公开。所以从"某颗磁传感或角度芯片在华虹流片"这件事,只能推出它选了哪个电压段与存储类型,推不出精度与温漂表现——那些由敏感元件、码盘与校准定。反过来,整机厂看它也有用:8 英寸 0.35µm 这类成熟段仍在产,老料号的工艺迁移窗口要以官网平台页为准,而不是按"先进节点替代"的直觉。

另一个实测细节:站点的中文子页(/business_*.php)返回 404,同一批内容在英文路径 /html/ 与繁体 /c/ 下可读,查资料时走这两个入口更省事。

官方资料