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长鑫
长鑫存储（688825）2016 年在合肥起家做 DRAM，公开 LPDDR6 12800Mbps 与 DDR5 8000Mbps，落在算力侧不是角度信号链。
长鑫存储不在编码器的信号链上：角度从码盘到解算再到控制器，一路用的是片内 OTP/EEPROM/MTP 存校准系数，不用 DRAM。它的位置在另一端——机器人主控与视觉算力板的存储底座。把这条边界说清楚，比硬把它塞进编码器供应链更有用。
公司与品牌
长鑫存储，全称长鑫科技集团股份有限公司，证券代码 688825，2016 年创立，总部在安徽合肥，官网定位是"一体化存储器制造公司"，做 DRAM 的设计、研发、生产与销售，在国内外设多个研发中心与分支机构。公司简介
官网发展历程给的节点很清楚：2016 年合肥 DRAM 基地一期项目诞生，2017 年 3 月开工，2018 年 1 月厂房建成开始搬入设备，2018 年 7 月验证投片、试产 8Gb DDR4 工程样品，2019 年 9 月在世界制造业大会展出 8Gb DDR4，2019 年 11 月拿到首笔订单；北京项目一期 2020 年 6 月启动、二期 2021 年 12 月启动，2022 年 1 月北京一期试产线通线，2022 年 6 月合肥二期主厂房封顶。
公开产品线的速率与容量档位
官网产品页给的是颗粒级速率与容量，全部为官方口径，功耗对比均注明是内部测试数据：
| 产品 | 公开速率 | 其他公开参数 |
|---|---|---|
| LPDDR6 | 最高 12800Mbps | 双子通道架构、1295Ball 新 JEDEC 封装、功耗较 LPDDR5X 低 20%、新增 PARC 与 MBIST |
| DDR5 及模组 | 颗粒最高突破 8000Mbps | 容量 16Gb/24Gb，功耗较 DDR4 低 20%，带片内错误检查与自纠错 |
| LPDDR5/5X | 最高 10667Mbps | 单颗粒 12Gb 与 16Gb，较 LPDDR5 提升 66%、功耗低 30%，兼容 LPDDR5 |
| LPDDR4X | 官网未给具体速率 | LVSTL 低功耗接口，面向手机、穿戴、平板 |
官网创新体系页写研发与技术人员约占八成，并提到与国内外机构合作、与多家国际领先企业做知识产权授权。创新体系
它与角度测量的关系只在算力侧
一台多轴设备里，DRAM 出现在控制器与视觉处理板：跑点云、跑模型、存日志。它与编码器的交界是控制器内部的缓冲，不是传感器的接口。所以看到"某机器人用了长鑫颗粒"，能推的是这台设备在算力与成本上的取向，推不出它对角度反馈的任何选择。
反过来说，做角度芯片的人需要记住的相反事实：校准系数、温度补偿表、出厂编码，都写在与工艺同片的 eNVM 里，容量以 KB 计。这一层与 DRAM 厂商无关，把两者混谈会把选型讨论带偏。