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BBT-C903TS8-SM03P
BBT-C903TS8-SM03P是埃斯特磁的模拟角度芯片，LGA3X3-6L封装形式中存在2个惠斯通桥；V1与V2正余弦波输出呈90度相位差。
核心参数
以下按该型号官网公开摘要整理；目录未写明的温度、磁体、安装、校准与统计条件，需结合下方原厂参数图及对应手册确认。
| 参数 | 数值、配置与条件 |
|---|---|
| 公开特性 1 | TMR(隧道磁电阻效应)技术 |
| 公开特性 2 | LGA3X3-6L封装形式中存在2个惠斯通桥 |
| 公开特性 3 | V1与V2正余弦波输出呈90度相位差 |
| 支持转速 | ＞100,000 RPM |
参数依据：BBT-C903TS8-SM03P 官方产品页。
原厂参数与尺寸图
尺寸、引脚及电气参数见下图，点击可查看原图。
原图出处。
资料与选型边界
官网所挂PDF封面“Part Number”标注为 BBT-A903TS8-SM03P，与本页 BBT-C903TS8-SM03P 不同。两者是否别名、版本变更或关联错误尚未证实；下列文件只作资料匹配待核入口，不作为本型号参数依据。
产品型号含TS8/P8，而网页摘要写LGA3×3-6L；封装存在口径疑点，需以对应完整料号手册和尺寸图确认。
