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FFE-002F16LV5JR
FFE-002F16LV5JR是埃斯特磁的线性磁场芯片，DFN1.6x1.6-3L封装形式采用半惠斯通电桥结构；输出信号为模拟信号。
核心参数
以下按该型号官网公开摘要整理；目录未写明的温度、磁体、安装、校准与统计条件，需结合下方原厂参数图及对应手册确认。
| 参数 | 数值、配置与条件 |
|---|---|
| 公开特性 1 | TMR（隧道磁阻效应）技术 |
| 公开特性 2 | DFN1.6x1.6-3L封装形式采用半惠斯通电桥结构 |
| 公开特性 4 | 输出信号为模拟信号 |
参数依据：FFE-002F16LV5JR 官方产品页。
原厂参数与尺寸图
尺寸、引脚及电气参数见下图，点击可查看原图。
原图出处。
资料与选型边界
分辨率、重复性和绝对误差分别比较；未说明的完整测试条件仍以对应手册为准。
