血糖贴片里藏着一颗「磁传感器」——它不测血糖,只管一件事:这片贴片能不能活着走到第 1 天
首发于公众号「如是有为」 · 查看原文

·它每 40 毫秒向电池索要一次 2 毫安的电流脉冲。18 个月货架期里,这个动作要重复 11.8 亿次。
·datasheet 上去耦电容的大小,是唤醒峰值电流的影子。
·一颗开关要你接多大的电容,它就在向电池要多大的电流。
你撕开铝箔袋,把施用器按在手臂上,“咔"一声,白色的圆饼留在皮肤上,手机跳出"传感器启动中”。
从这一刻起,它要连续工作 14 天。
但这片贴片不是今天出生的。
它在工厂里灌封、灭菌,然后海运、进仓、进药房、进你家抽屉——已经躺了 12 到 18 个月。
这 18 个月里,电池一直在它身体里。
它在干什么?
01 先说那个反常识的:它真的不测血糖
血糖是电化学测出来的。
皮下那根 5 毫米的针尖上涂着葡萄糖氧化酶,葡萄糖被催化氧化,电子跑向电极,形成电流——100 到 500 纳安。前置放大器把它推起来,ADC 采样,蓝牙发到你手机上。
这条链路里没有磁的事。
可是几乎每一片这样的贴片里,都还坐着一颗磁传感器。
它不参与测量。它一辈子只做一个动作,而且只做一次:
决定这片贴片什么时候"出生"。为什么"开机"这件小事,需要专门一颗芯片?
02 因为这是一个没有孔的盒子
看一眼这东西的物理约束。
它要跟着你洗澡、游泳(IP27/IP28 防水),所以整体灌封成一块塑料饼——没有按钮,没有接口,没有缝,没有孔。
然后它要在抽屉里躺 18 个月。
算笔账。以 Freestyle Libre 3 用的 SR41 银氧电池为例(1.55V / 约 150mAh,公开资料):

整机工作时平均功耗约 180 µW(按公开参数推演),14 天用掉 218 J,余量很足。
但如果货架期这 18 个月它只是"低功耗待机"而不是真断电:
180 µW × 4.73×10⁷ s ≈ 7600 J电池只有 837 J。它在药房的货架上就已经死了九次。
所以约束是死的:出厂状态必须是真·断电——电源 FET 全关,MCU 一点电都没有。不是睡眠,是断电。问题来了:一个没有孔的盒子,怎么把一个断了电的电路重新接通?
工程上只有三条路。
拉片——绝缘片插在电池和触点之间,用户抽掉。可是拉片得伸出壳外,外壳就必须留缝,和防水灌封直接冲突。而且拉片能塞回去,一次性器械的防重用做不严。
NFC 场唤醒——用手机射频场把芯片叫醒(早期 Libre “刷一下"就是这个)。要多一套天线和 NFC 前端,还得让用户主动做个动作。
磁开关——磁场穿塑料、穿灌封胶、穿无菌包装纸。完全非接触,一个孔都不用开。
而且它的用法是反着来的:
出厂和货架期,施用器(或包装底座)里嵌一块小磁铁。磁铁在场 → 开关输出锁住电源 FET → 整机断电。
你按下施用器、贴片脱离底座的那一瞬间——磁铁跟着施用器被你扔进了垃圾桶——开关翻转,上电,自检,开始计时。
这一步顺手白送了一次性医疗器械最想要的东西:磁铁被你丢了,你手上没有第二块,这片贴片物理上无法被复位重用。
拉片做不到这一点。
03 第一直觉是霍尔开关,datasheet 上写着 0.9 µA
要一颗"全极、超低功耗、小封装"的磁开关,工程师的第一反应一定是霍尔。
昆泰芯(CONNTEK)的 KTH1701 是这一类里做得相当极致的一颗,datasheet 副标题就是 High Performance, Low Power Omnipolar Hall Switch,正文还专门写了 designed for compact systems and battery-sensitive systems。
昆泰芯 · KTH1701 —— 全极霍尔开关。25Hz 版 0.9 µ[email protected],100Hz 版 2.4 µA,500Hz 版 10.4 µA。工作电压 1.8–5.5V,Bop 可选 26/36/48 Gs,SOT-23-3L,−40~125℃。(来源:KTH1701 Series Datasheet)
0.9 微安。 看起来无懈可击。
但这个数字是个平均值。往下翻一页,故事就变了。
04 它每 40 毫秒,要向电池要一次 2 毫安
KTH1701 的电参数表里,还有四行不那么显眼的东西:
I_DD(Awake) = 2.0 mAI_DD(Sleep) = 0.4 µAT_Awake = 10 µsT_Period = 40 ms(25Hz 版)
看懂了吗?
这颗芯片不是"一直用 0.9 µA 在工作”。它是:
睡 40 毫秒 → 猛醒 10 微秒、灌进去 2 毫安 → 再睡回去。
平均电流是这么来的:

代进去:

拿另外两个版本验一下这个公式:
100Hz 版(T_period=10ms):0.4 + 2000 × (10µs/10ms) = 2.4 µA —— datasheet 写的正是 2.4 µA。
500Hz 版(T_period=2ms):0.4 + 2000 × (10µs/2ms) = 10.4 µA —— datasheet 写的正是 10.4 µA。
三个版本,一个不差。
所以那个漂亮的 0.9 µA,真实面目是:
它每 40 毫秒向电池索要一次 2 毫安的电流脉冲。18 个月货架期里,这个动作要重复 11.8 亿次。账面平均值是 0.9 µA,但电池看到的是 2 mA。这两个数字差了 2200 倍。
052 毫安的脉冲,砸在一颗内阻几十欧的纽扣电池上
这就不只是功耗问题了,是电源完整性问题。
纽扣电池的内阻很高——银氧电池新电池典型十几到几十欧姆,低温和放电末期还会显著升高到上百欧(公开资料典型值)。
2 mA 的脉冲砸上去:

左边是新电池的瞬时压降,右边是内阻升到 100Ω 之后的。
电池只有 1.55V。掉掉 200mV 就是 1.35V。
低功耗 MCU 的欠压复位(brownout)阈值通常就在 1.7~1.8V 一带——这个压降直接砸在生死线上。
所以你会在 KTH1701 的 datasheet 里看到一句"请在 VDD 和 GND 之间尽量靠近芯片接一颗 1 µF 电容"。
这颗电容不是在滤噪声,它是在替电池挨那 2 毫安的拳头。现在去看 KTM1305(TMR)的 datasheet,同一个位置写的是:100 nF。同样是磁开关,去耦电容差了 10 倍。datasheet 上去耦电容的大小,是唤醒峰值电流的影子。一颗开关要你接多大的电容,它就在向电池要多大的电流。
(这一句是从两份手册的推荐电路反推的推论,两份 datasheet 只白纸黑字写了 1µF 和 100nF,没有直接给出 KTM1305 的峰值电流。)
06 霍尔为什么非要那 2 毫安:它的信号是电流的函数
这不是设计没优化好。是物理决定的。
霍尔效应的输出电压:
(I 是灌进霍尔片的偏置电流,B 是磁场,n 是载流子浓度,q 是电子电荷,t 是霍尔片厚度)
关键在最前面那个 I:霍尔电压正比于你灌进去的电流。
你要是把 I 从 2 mA 砍到 2 µA,霍尔电压跟着掉 1000 倍——掉进纳伏级,直接淹没在运放的失调和噪声里(哪怕是斩波运放,失调也在微伏量级)。
所以低功耗霍尔只剩华山一条路:猛灌一下、赶紧断电。 这就是那 2mA × 10µs 的由来。
采样率越低越省电,代价是响应越慢。0.9 µA 已经是这条路的天花板附近了。TMR(隧道磁阻)走的是完全不同的一条路。
TMR 是电阻。磁场改变的是隧道结的阻值,读它只要在电阻桥上分个压:
看这个式子里有没有 I?没有。输出只和"分压比"有关,和电流一点关系都没有。
而隧道结的电阻由势垒(通常是约 1 纳米厚的 MgO)的厚度指数级控制——电子隧穿概率随势垒厚度指数衰减,势垒厚 0.1 纳米,电阻就能翻几倍。
这意味着工艺上可以轻松把桥阻做到兆欧级。
桥阻放大 1000 倍 → 流过的电流缩小 1000 倍 → 而输出电压一点没变。霍尔是"花电流换灵敏度",TMR 是"花阻值换灵敏度"。在一个电流比黄金还贵的地方,这一条就定生死。
07 一个让人愣住的对比:霍尔光睡觉,就烧掉 TMR 全部电流的 7.7 倍
看昆泰芯 TMR 开关系列里的 KTM1305:
昆泰芯 · KTM1305 —— 全极 TMR 开关。1.6Hz 版本 [email protected] / [email protected] / [email protected];工作电压 1.2–3.6V;Bop 四档可选 ±45 / ±18 / ±9 / ±7 Gs;LGA-4 封装;−40~85℃;ESD HBM 8KV;采样周期 600 ms。典型应用里明确写着"便携式医疗设备"。(来源:KTM1305 系列产品手册 V1.10)
现在把两颗芯片的数字并排放:霍尔 KTH1701 的睡眠电流(什么都不干):400 nATMR KTM1305 的平均电流(含全部采样开销):52 nA霍尔开关光是躺着睡觉,就要烧掉 TMR 开关"全部工作电流"的 7.7 倍。霍尔的天花板,在 TMR 的地板下面。换算成货架期:
TMR:52nA × 1.5V = 0.078 µW → 18 个月吃掉 3.7 J,占 837 J 电池的 0.44%。
霍尔:0.9µA × 1.8V = 1.62 µW → 18 个月吃掉 76.6 J,占 9.2%。
还有第二个硬伤: KTH1701 的工作电压下限是 1.8V,而 SR41 只有 1.55V。
单节银氧电池根本供不动它。 要用就得先升压——而升压电路在货架期自己也要吃静态电流。你为了省电加的东西,自己先耗电。KTM1305 是 1.2V 起,直接挂在电池上,不需要升压。
这里必须说清楚:不是 KTH1701 这颗芯片不行。 它在 AGV 限位、电梯门到位、水表气表上是很好的料——那些场景有的是电。
出局的是"用霍尔做超长货架期唤醒"这个思路本身。
08 隐藏优势:它看的是"横着的"磁场
这一条几乎没人提,但它直接决定机械结构。
霍尔检测的是垂直于芯片表面的磁场(Bz,穿过芯片的方向)。
KTM1305 检测的是平行于芯片表面的磁场——datasheet 里专门画了图说明这件事。
为什么这要命?
贴片总厚 5.5 毫米。这 5.5 毫米里已经塞满了:PCB、纽扣电池、电极基座、天线、灌封胶。
厚度预算是这个产品里最紧张的资源。如果用霍尔:磁铁的磁化方向必须垂直于 PCB,也就是磁铁得压在 PCB 的正上方或正下方——它要吃掉宝贵的厚度。如果用面内检测的 TMR:磁铁可以放在 PCB 的同一个平面里,侧着摆——一毫米厚度都不吃。
顺带地,施用器的机械结构也简单了:磁铁不用做成"压在贴片上面的一层",而是做在施用器侧壁上,贴片脱出时横向离开。
09Bop 选多少?这里有个陷阱:越灵敏,越危险
KTM1305 的磁场阈值有四档。直觉当然是选最灵敏的那档——Bop 越低,磁铁就能做得越小越便宜,装配距离也能拉大。但把 datasheet 的最小/典型/最大值列出来,事情就不对了:SA 档:Bop 典型 45 Gs,范围 4050 —— 分散 ±11%SC 档:Bop 典型 18 Gs,范围 1524 —— 分散 −17% / +33%SD 档:Bop 典型 9 Gs,范围 612 —— 分散 ±33%SE 档:Bop 典型 7 Gs,范围 410 —— 分散 ±43%阈值越低,批次分散越大。你为"磁铁能小一点"付的钱,是拿一致性去付的。而分散还要被磁路放大一次。
磁铁的场强按距离的三次方衰减(偶极子远场,B ∝ 1/r³)。
装配公差 ±0.5 mm,在 5 mm 的标称间隙上就是 ±10% 的距离误差——经过三次方,变成 ±30% 的磁场误差。
±43% 的芯片阈值分散,叠上 ±30% 的磁路分散。 这就是你要守的良率。
但真正致命的不是"吸不吸得住",是"放不放得开"。
看 SE 档的释放点:Brp 最小值只有 1 Gs。地球磁场是 0.5 Gs。
也就是说,磁铁被施用器带走之后,芯片位置的剩余磁场必须降到 1 Gs 以下,开关才会释放、贴片才会开机。
而贴片里就躺着一颗纽扣电池——它的金属外壳本身就是块软磁体,会畸变磁路、留下剩磁。周围还有天线、屏蔽罩、装配夹具残磁。
如果这些东西合起来让芯片位置的剩余磁场降不到 1 Gs 以下——开关永远释放不了。贴片永远不开机。患者手里拿到的是一块砖。选 Bop 的正确顺序不是"能不能吸住",是先算"能不能放开"。触发边界(Bop)决定良率,释放边界(Brp)决定这片贴片是不是废品。
10 地磁 0.5 高斯,手机磁吸几百高斯
阈值选低了还有第二个麻烦:误触发。
地磁 0.5 Gs,离 7 Gs 还有 14 倍余量,不构成威胁。
但你口袋里那个磁吸充电宝、手机背后那圈磁吸阵列,表面磁场是几百高斯量级。
贴片贴在手臂上还好,贴在腹部、而手机放在腰包里呢?
如果磁开关还活着,它就会翻转。后面的状态机要是没做好,轻则误判,重则被人为复位。
这就是 KTM1305 那个没人看的第 1 脚存在的理由。
11 那个没人看的第 1 脚:Output Latch Control
KTM1305 是 LGA-4,四个脚:VDD、GND、Output——还有一个 Output Latch Control。
datasheet 原话:该引脚置高电平时,芯片输出锁定为高电平,且不受外部磁场影响;浮空或接地时,芯片正常工作。这只脚在货架期毫无用处。它是给"开机之后"准备的。
贴片一旦上电,MCU 做的第一件事就该是把这一脚拉高——
从此这颗磁开关被彻底钉死。外面再来什么磁场,冰箱、磁吸充电宝、医院的核磁大门,它都不动了。
一次性医疗器械的防误触、防恶意复位,就靠这只脚。
选型时记得问一句:这颗开关能不能在开机后被主动锁死?很多超低功耗磁开关没有这只脚——那你就得在软件里补一整套状态机去防它。
12TMR 的死穴:那层势垒只有 1 纳米厚
说完好话,得说风险。这是选 TMR 必须先问清楚的事。
TMR 的磁阻效应来自电子穿过一层约 1 纳米厚的 MgO 势垒。
1 纳米。
这么薄的一层绝缘,跨结击穿电压极低。TMR 器件天生就比霍尔怕 ESD 和 EOS——一次静电打击就可能把隧道结永久击穿,而且击穿之后阻值变了、阈值漂了,芯片却不一定"看起来坏"。
KTM1305 标的是 HBM 8 KV,说明片上做了很强的 ESD 保护,这个弱点是被堵上了的。
但产线不能松:贴片是自动化装配 + 环氧灌封 + 灭菌,静电管控要求比工业场景高一个档次。
另一个要看的是温度。
TMR 的灵敏度来自铁磁层的自旋极化度,而自旋极化度会随温度上升而下降——所以 Bop 是会随温度漂的。
KTM1305 的 datasheet 给了三档供电电压下完整的 Bop-温度曲线(−40~100℃)。
别只看 25℃ 那一行。你的货架不在 25℃——集装箱和仓库夏天能到 50~60℃。
顺带一提,KTM1305 的工作温度是 −4085℃,比 KTH1701 的 125℃ 窄。对贴在人身上(3337℃)的产品完全够,但高温运输和仓储要自己核一遍。
13600 毫秒?在启动链里连零头都算不上
KTM1305 的采样周期是 600 毫秒——最坏情况,磁铁走了 0.6 秒之后,开关才反应过来。
听起来很慢。放进系统里看一眼:
磁铁离开 → 最坏 600 ms → 开关翻转 → 电源 FET 导通 → LDO 建立(毫秒级)→ MCU 上电复位、时钟起振(毫秒级)→ 固件自检、读 OTP 校准系数 → 电化学前端给电极加上 +600 mV 偏压 →
→ 电极极化稳定 + 传感器 warm-up:30 到 60 分钟。600 毫秒,占整条启动链的 0.03%。又是这个熟悉的结构:你要付的代价,恰好落在整个系统里最不敏感的那个维度上。在一个要暖机半小时的系统里,0.6 秒的开关延迟,不值得为它多花一纳安。
14 真正的判据:别跟电池总量比,跟自放电本底比
前面所有的账,其实都还没算到点子上。
因为电池不用你耗,它自己也在漏。
银氧纽扣电池的自放电率典型是每年 5~10%(公开资料)。折算成等效功耗:

把三个数摆在一起看:电池自放电本底:1.3 ~ 2.7 µW霍尔 KTH1701(25Hz):1.62 µW —— 和自放电本底完全同量级。TMR KTM1305:0.078 µW —— 是本底的 1/17 到 1/34。看懂了吗?霍尔那 0.9 µA 根本不是什么"低功耗"——它是给这颗电池装了第二个自放电源。 货架期的电池损耗直接翻倍。
而 TMR 那 52 纳安,淹没在电池自己的漏电噪声里。工程上等于免费。这是我最想留给你的那条判据:长货架期产品里的常驻唤醒器件,功耗不该拿去和"电池总容量"比——那个分母太大,什么都显得够用。要和"电池自放电本底"比。低一个数量级以上 = 免费;同一个量级 = 你自己在给电池放血。
这条判据不止管血糖贴片。电子锁、水表气表、TWS 充电仓、一次性自动注射笔、资产标签——凡是"躺着的时间远远长于工作时间"的东西,都该这么算一遍。
15 顺带说:这个料位现在是国产打国产
不吹,说实话。
多维科技(MDT)· TMR136x 系列 —— 明确对着 CGM 打的"非接触式唤醒方案"。待机 [email protected](3.0V 时 300nA),工作电压 1.2–3.5V,磁灵敏度典型 ±2.0 mT,封装 DFN4L(1.6×1.6×0.5 mm)。(来源:多维科技官网公开产品新闻)
对位下来: 功耗上昆泰 52nA vs 多维 120nA(@1.5V),是对手的 43%;阈值上昆泰能做到 ±7 Gs(±0.7 mT),比多维典型的 ±2.0 mT 更低。多维则把封装尺寸标得更明白。
结论:这个料位上,进口料早就不是主要对手了。真正决定进不进得去 BOM 的,是峰值电流、阈值一致性、和客户整机的联调支持——不是"国产替代"这四个字。
16 诚实的边界(这段必须写)
第一,我没有任何一手证据说某个品牌的血糖贴片里装了哪颗芯片。 厂商 BOM 是商业秘密,网上流传的"某产品用了某颗芯片"我一条都追不到源头。本文讲的是"这个料位需要什么指标、哪些料对得上",不是"谁进了谁的 BOM"。第二,datasheet 的免责声明要看清。 KTM1305 的典型应用里确实写了"便携式医疗设备",但昆泰芯的通用免责条款同时写着 medical life-support 类应用明确排除在外。血糖监测是 Class II 监测设备、不是生命支持设备,但这不代表拿一份消费级 datasheet 就能往医疗整机里塞——器件级可靠性评估、风险管理和注册路径,得由整机厂自己走完。芯片厂能承诺参数,不能替客户承诺注册。这条线别越。第三,货架期损耗是多因素叠加的。 本文为了讲清主线,把镜头对准了磁开关。但真实的货架期损耗里还有:电池自放电(前面算过,本身就是大头)、灌封材料吸湿与老化、电解液爬行漏电、PCB 表面漏电流。磁开关是这里面你唯一能自己选、也最容易选错的一项——但它不是唯一一项。
17 收藏用:货架期唤醒开关选型七算
下次遇到"躺着的时间远比工作时间长"的产品,按这七条过一遍:
一算本底:先查电池自放电率,折算成等效功耗(µW)。这才是你真正的分母。二算均值:唤醒器件的平均电流 × 实际供电电压。要比本底低一个数量级,否则它就是第二个自放电源。
三算峰值:翻到电参数表找 I_Awake 和 T_Awake。平均值骗人,峰值才是电池要挨的那一拳。 用 I_peak × R_内阻 算瞬时压降,和 MCU 的 brownout 阈值比。看一眼推荐去耦电容:要 1µF 的和要 100nF 的,不是一个物种。四算电压:器件的工作电压下限,电池能不能直接供上?供不上就要升压,而升压器件自己的静态电流要重新回到第二条里算。五算释放:先算 Brp(放得开吗),再算 Bop(吸得住吗)。 磁铁走后的剩余磁场(含金属外壳剩磁、屏蔽件、装配夹具残磁)必须可靠低于 Brp 最小值——否则设备永远不开机。六算分散:把 Bop 的 min/typ/max 拉出来算百分比。阈值越低,分散越大。 再叠上磁路的 1/r³ 放大(距离公差 ±10% → 磁场 ±30%)。
七算锁死:开机之后,这颗开关能不能被 MCU 主动锁住、不再响应外部磁场?没有这只脚,就得在软件里补状态机。
一片血糖贴片,工作 14 天,出厂前先躺 18 个月。
所有人都在讨论那 14 天的电化学极限。而决定它能不能活着走到第 1 天的,是一颗 LGA-4 封装、52 纳安、你在系统框图上几乎看不见的磁传感器。它一辈子只做一个动作:在磁铁离开的那一刻,说一声"开始"。
18 知识卡片
卡片1|霍尔和 TMR,到底差在哪
霍尔:往半导体里灌一路电流,磁场把电子推歪,两边冒出电压。公式 V_H = I·B/(n·q·t)——信号正比于灌进去的电流。
所以霍尔想省电,只能"猛灌一下、赶紧断电"(占空比采样)。KTH1701 就是每 40ms 灌 2mA、持续 10µs。
TMR:磁场改变的是隧道结的电阻,读它只要在电阻桥上分个压。公式 V_out = VDD·ΔR/(2R)——式子里根本没有电流。
隧道结电阻由 1 纳米厚的 MgO 势垒指数级控制,桥阻能轻松做到兆欧级 → 电流自然掉到纳安。
一句话:霍尔用电流换灵敏度,TMR 用分压比换灵敏度。 在拿纽扣电池的产品里,这是数量级的差距。
代价:TMR 那层势垒只有 1nm,天生怕 ESD——选型第一个要问的就是 ESD 等级。

卡片2|为什么一个"没有孔"的东西能开机
血糖贴片要防水(洗澡游泳),整体灌封——没有按钮、没有接口、没有缝。
但它出厂后要在抽屉里躺 12–18 个月,电池必须真断电(不是待机:按 180µW 待机,18 个月要 7600J,而电池只有 837J,早死了)。
拉片要开缝(破坏防水,还能塞回去重用);NFC 唤醒要加天线和前端,还得用户主动刷一下。
磁场能穿塑料、穿灌封胶、穿包装纸
——磁开关是唯一不用开孔的方案。
用法是反的:磁铁在 = 断电;磁铁跟着施用器被扔进垃圾桶 = 开机。
白送一个好处:磁铁你捡不回来,这片贴片物理上无法复位重用。

卡片3|“低功耗"是个相对词——相对谁?
一个器件是不是"低功耗”,不能看绝对数字,要看跟谁比。
长货架期产品里,正确的比较对象是电池的自放电本底。
银氧纽扣电池自放电约 5–10%/年,折算等效功耗约 1.3–2.7 µW。
0.9 µA 的霍尔开关(1.62 µW)和本底同量级 → 等于给电池装了第二个自放电源,货架期损耗直接翻倍。
52 nA 的 TMR(0.078 µW)比本底低一个数量级以上 → 淹没在电池自己的漏电里,工程上等于免费。
判据:低于本底一个数量级 = 免费;同量级 = 你在给电池放血。
附赠一个更狠的对比:霍尔光睡觉的 400nA,就是 TMR 全部工作电流(52nA)的 7.7 倍。

边界说明
一手 datasheet 参数:KTM1305(48/52/70 nA @1.2/1.5/3.0V、1.2–3.6V、Bop 四档 ±7~±45Gs 及各档 min/typ/max、LGA-4、600ms 周期、100nF 去耦、Output Latch Control 脚、HBM 8KV、−40
85℃)来自《KTM1305 系列产品手册 V1.10》;KTH1701(I_avg 0.9/2.4/10.4µA、I_Awake 2.0mA、I_Sleep 0.4µA、T_Awake 10µs、T_Period 40/10/2ms、1.8–5.5V、Bop 26/36/48Gs、1µF 去耦、SOT-23-3L、−40125℃)来自《KTH1701 Series Datasheet》。本文的原创推演(非厂商结论):① 用 I_avg = I_sleep + I_peak×(T_awake/T_period) 反推并验证 KTH1701 三个版本的平均电流(0.9/2.4/10.4 µA,三档全部吻合);② 由两份 datasheet 的推荐去耦电容差(1µF vs 100nF)推断唤醒峰值电流的量级差——两份手册均未直接给出 KTM1305 的峰值电流;③ 837J 电池能量、180µW 整机功耗、18 个月货架期损耗(76.6J / 3.7J)、自放电等效功耗(1.3–2.7µW)均为按公开参数推演,非实测;④ 1/r³ 磁路公差放大、Brp 释放边界失效模式为工程推演。
竞品参数:多维科技 TMR136x([email protected]、±2.0mT、DFN4L)来自多维科技官网公开产品新闻。
不指认 BOM:本文不宣称任何品牌血糖监测产品使用了任何具体型号的芯片。“磁开关做零功耗货架期 + 施用器磁铁激活"是一次性穿戴医疗器械的通行工程做法,本文据此讨论料位需求。
医疗合规:所引 datasheet 免责条款明确排除 medical life-support 类应用。器件能否用于医疗整机,须由整机厂按其风险管理与注册路径确认,芯片参数不构成医疗合规承诺。
◆ ◆ ◆

关注公众号「如是有为」
微信扫一扫,新文章先在公众号发出。