霍尔元件材料：InSb、GaAs、InAs改变的是哪笔误差账

相同磁场下，裸霍尔元件的输出大小与温度变化可能差很多。材料影响载流子的迁移率、浓度及其温度特性，但整颗传感器还包括偏置、封装与读出电路，不能只按材料选精度。

三类材料对应不同取舍

AKM 的裸霍尔元件教程给出以下产品路线。它是这些系列的比较，不是所有厂商和全部工作条件下的通用排名。

教程中的硅材料不列入这三组裸元件产品，并不意味着硅霍尔无法做高性能IC。集成放大、斩波和补偿会改变最终能力，应回到元件与IC的层级比较。

大输出能减轻失调比例，不能证明动态更快

自设读出算例：两路在同一磁场变化下分别输出10mV与100mV，后级同有1mV残余失调，失调占信号的比例分别为10%与1%。提高信号幅度能减轻这笔相对误差，但不说明前端带宽、延迟或输出噪声已经改善。不同器件的失调也不能默认相同。

无刷电机的磁极交界处，失调会让比较器提前或滞后翻转；判断影响应看该处的磁场斜率，而不只看磁极中心的峰值。

比较材料前先固定偏置与温区

恒流和恒压的温度行为不同，见霍尔偏置。对室温输出做一次归一化，只消掉一个标定点的差异；还要比较全温失调、灵敏度漂移、功耗和噪声带宽。

来源：AKM InSb教程、GaAs教程、InAs教程。