霍尔温漂：零点、增益和磁铁变化要分开算

高温后零位变了，可能是电子零点偏移，也可能是灵敏度、磁铁或结构在变。只有先把它们分开，才知道应该改材料、补偿电路还是磁路。

一个读数里叠着三种变化

可用简化模型 $V(T)=V_0(T)+S(T)B(x,T)$ 看问题：$V_0$ 是零场失调，$S$ 是灵敏度，$B$ 同时取决于位置、磁铁温度与装配。失调使曲线平移，增益使曲线伸缩，磁路变化则可能改变曲线形状。只在一个位置升温，通常分不出是哪一项。

AKM 的GaAs教程说明材料和偏置对温度稳定性有影响；“低漂移”仍不能保证整套位置系统不漂移。线性IC还可能配置特定磁铁温补，补偿对象与订货版本必须核对。

电压漂移要通过局部斜率换算

自设静态算例：残余失调改变2mV，灵敏度20mV/mT，对应0.1mT等效磁场变化；若工作点的磁场梯度为0.5mT/mm，局部位置误差约0.2mm。若运动到梯度仅0.1mT/mm的位置，同一失调约对应1mm。数字只是模型演算，不是某个型号保证值。

这说明同样的电子温漂，在平坦磁场区会被放大。标定与验收必须覆盖全行程，而不是只在斜率最好的中心点测。

双通道比值只消掉共同的乘性项

自设理想角度模型 $x=A(T)\cos(2\pi u),y=A(T)\sin(2\pi u)$，归一化角度 $u\in[0,1)$。经atan2解算时，共同的正幅度 $A(T)>0$ 可抵消；两路失调、增益温漂差和相位误差不会因此消失。AKM 的InAs教程给出比值思路，应用时需保留这些条件。

测量上，先在固定磁场下分离失调和增益，再换实际磁体做全温全行程扫描。斩波稳定主要处理电子失调，不能修正磁铁装偏。

器件温补示例：TI DRV5055的A/Z版本。

差和比怎样进入实际机构，接着读相机AF与OIS位置反馈；归一化成立的前提仍须逐项验证。