MR比、桥路灵敏度与精度：三个数字别排成一个榜

看到“MR比更大”，可以先问两件事：电阻相对哪个状态变化，输出经什么桥路和读出电路转换。磁阻变化率能说明材料与结构的响应，却不能直接给出一颗角度芯片的系统精度。

百分比需要先交代分母

常见定义是 $MR=(R_{AP}-R_P)/R_P$，P与AP分别表示两磁化层平行、反平行状态。若自设 $R_P=1$ kΩ、$R_{AP}=2$ kΩ，按此定义是100%；换成以 $R_{AP}$ 作分母就是50%。两种报告数字不能不看定义就比较。

AMR的高低电阻则对应磁化与电流的相对方向，物理结构与P/AP自旋阀不同。摘录百分比时应连同材料、结构、磁场、温度和测试方式一起保留，不把某厂某代材料的示例值当成所有AMR/GMR/TMR的固定范围。

从电阻到电压还经过桥路

桥压取决于哪些桥臂随场增减、变化是否对称、激励大小及后级负载。电桥分压式可以直接计算，不能把单电阻100%的变化率照抄成输出100%电源摆幅。成品手册的mV/V、mV/mT和mV/°也分别描述不同的横轴与激励条件。

更大信号只改善误差链的一部分

增大信号幅度有利于降低后级固定电压噪声的相对影响；桥自身噪声、磁滞、温漂、磁化跟随、机械偏心及算法误差仍在。角度对通道误差的敏感性还与瞬时信号向量有关。做选型比较时应固定磁路、温度、带宽与校准条件，再比较角度误差和抖动，不能从MR比推出“必然更准”。

来源：TDK-Micronas：TMR结构与MR比、TDK：TMR角度传感原理。电阻例及桥路推导为本站自设算例。